onsemi QFET FQNL2N50BTA N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 350 mA 1,5 W, 3-Pin TO-92L
- RS Best.-Nr.:
- 166-2580
- Herst. Teile-Nr.:
- FQNL2N50BTA
- Marke:
- onsemi
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- Herst. Teile-Nr.:
- FQNL2N50BTA
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 350 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 500 V | |
| Gehäusegröße | TO-92L | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 5,3 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.3V | |
| Verlustleistung max. | 1,5 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Breite | 3.9mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 6 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 4.9mm | |
| Serie | QFET | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 8mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 350 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 500 V | ||
Gehäusegröße TO-92L | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 5,3 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.3V | ||
Verlustleistung max. 1,5 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Breite 3.9mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 6 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 4.9mm | ||
Serie QFET | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 8mm | ||
- Ursprungsland:
- MY