- RS Best.-Nr.:
- 166-2611
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS6982AS
- Marke:
- onsemi
Nicht mehr im Sortiment
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- 166-2611
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS6982AS
- Marke:
- onsemi
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Zweifach-MOSFET PowerTrench® SyncFET™, Fairchild Semiconductor
Entwickelt zur Minimierung des Verlusts bei der Leistungsumwandlung bei gleichzeitiger Beibehaltung einer ausgezeichneten Schaltleistung.
Trench-Hochleistungstechnologie für extrem niedrigen RDS(ein)
SyncFET™ profitiert von einer effizienten Diode mit Schottky-Gehäuse.
Anwendungen: Synchrone DC/DC-Gleichrichtungskonverter, Motorantriebe, Point-of-Load-Netzwerkschalter für Niederspannungsseite
Trench-Hochleistungstechnologie für extrem niedrigen RDS(ein)
SyncFET™ profitiert von einer effizienten Diode mit Schottky-Gehäuse.
Anwendungen: Synchrone DC/DC-Gleichrichtungskonverter, Motorantriebe, Point-of-Load-Netzwerkschalter für Niederspannungsseite
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 6,3 A; 8,6 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | SOIC |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 14 mΩ, 28 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
Verlustleistung max. | 2 W |
Transistor-Konfiguration | Isoliert |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Transistor-Werkstoff | Si |
Breite | 3.99mm |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 11 nC @ 10 V, 21 nC @ 10 V |
Länge | 5mm |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Serie | PowerTrench, SyncFET |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
Höhe | 1.5mm |
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