onsemi UltraFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 3 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
166-2645
Herst. Teile-Nr.:
FDS2734
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

UltraFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

225mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

32nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5 mm

Höhe

1.5mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

4mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor


UltraFET® Trench-MOSFETs kombinieren Eigenschaften, die eine richtungsweisende Effizienz in der Leistungsumwandlung ermöglichen. Das Gerät hält im Stoßentladungsmodus einer hohen Energielast stand, und die Diode zeichnet sich durch eine sehr niedrige Umkehr-Erholzeit und gespeicherte Ladung aus. Optimiert für Effizienz bei hohen Frequenzen, niedrigste RDS(ein), niedriger ESR und niedrige Gesamt- und Miller-Gate-Ladung.

Anwendungen: DC/DC-Hochfrequenzwandler , Schaltregler, Motorantriebe, Niedrigspannungs-Busschalter und Stromüberwachung.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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