onsemi UltraFET N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

UltraFET® Trench-MOSFETs kombinieren Eigenschaften, die eine richtungsweisende Effizienz in der Leistungsumwandlung ermöglichen. Das Gerät hält im Stoßentladungsmodus einer hohen Energielast stand, und die Diode zeichnet sich durch eine sehr niedrige Umkehr-Erholzeit und gespeicherte Ladung aus. Optimiert für Effizienz bei hohen Frequenzen, niedrigste RDS(ein), niedriger ESR und niedrige Gesamt- und Miller-Gate-Ladung.
Anwendungen: DC/DC-Hochfrequenzwandler , Schaltregler, Motorantriebe, Niedrigspannungs-Busschalter und Stromüberwachung.

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.