onsemi PowerTrench P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 7,8 A 2,4 W, 6-Pin MicroFET 2 x 2
- RS Best.-Nr.:
- 166-2685
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMA510PZ
- Marke:
- onsemi
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 7,8 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | MicroFET 2 x 2 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 90 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.4V | |
| Verlustleistung max. | 2,4 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 2mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 19 nC @ 4,5 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 2mm | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 7,8 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße MicroFET 2 x 2 | ||
Serie PowerTrench | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 90 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.4V | ||
Verlustleistung max. 2,4 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 2mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 19 nC @ 4,5 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 2mm | ||
Höhe 0.75mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||