onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 2.7 A 960 mW, 6-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
166-2698
Herst. Teile-Nr.:
FDC6305N
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

128mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.5nC

Durchlassspannung Vf

0.77V

Maximale Verlustleistung Pd

960mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Länge

3mm

Breite

1.7 mm

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der FDC6305N ist ein N-Kanal-MOSFET mit niedrigem Schwellenwert. Entwickelt mit PowerTrench ® -Technologie, bietet er minimalen Widerstand im eingeschalteten Zustand und niedrige Gate-Ladung für überlegene Schaltleistung.

Eigenschaften und Vorteile:


• Niedrige Gate-Ladung

• Schnelle Schaltgeschwindigkeit

• PowerTrench ® -Technologie

• Sehr kleine Abmessungen. 72 % kleiner als ein SO08.

Der FDC6305N wird in der Regel in diesen Anwendungen verwendet:

• Lastschaltung

• DC/DC-Wandler

• Motorantrieb

Zweifach-N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


Bei Semis PowerTrench ® MOSFETs handelt es sich um optimierte Leistungsschaltgeräte, die eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine kleine Gate-Ladung, eine kleine Rückkehr-Rückgewinnung und eine weiche Rückgewinnungs-Gehäusediode, um zu einem schnellen Schalten der synchronen Gleichrichtung in AC/DC-Netzteilen beizutragen.

Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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