Teile-Nr.

onsemi UniFET FDD4N60NZ N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 3,4 A 114 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 166-2826
Herst. Teile-Nr.:: FDD4N60NZ
Marke:: onsemi

onsemi UniFET FDD4N60NZ N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 3,4 A 114 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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RS Best.-Nr.:: 166-2826
Herst. Teile-Nr.:: FDD4N60NZ
Marke:: onsemi

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	3,4 A
	Drain-Source-Spannung max.	600 V
	Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand max.	2,5 Ω
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung min.	3V
	Verlustleistung max.	114 W
	Transistor-Konfiguration	Einfach
	Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Transistor-Werkstoff	Si
	Länge	6.73mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	8,3 nC @ 10 V
	Anzahl der Elemente pro Chip	1
	Breite	6.22mm
	Betriebstemperatur min.	–55 °C
	Höhe	2.39mm
	Serie	UniFET

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 3,4 A
	Drain-Source-Spannung max. 600 V
	Gehäusegröße DPAK (TO-252)
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand max. 2,5 Ω
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung min. 3V
	Verlustleistung max. 114 W
	Transistor-Konfiguration Einfach
	Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Transistor-Werkstoff Si
	Länge 6.73mm
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 8,3 nC @ 10 V
	Anzahl der Elemente pro Chip 1
	Breite 6.22mm
	Betriebstemperatur min. –55 °C
	Höhe 2.39mm
	Serie UniFET

Ursprungsland:: CN