onsemi NDT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.8 A 3 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 166-2837
- Herst. Teile-Nr.:
- NDT014L
- Marke:
- onsemi
Zwischensumme (1 Rolle mit 4000 Stück)*
1.292,00 €
(ohne MwSt.)
1.536,00 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 4000 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 10. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,323 € | 1.292,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 166-2837
- Herst. Teile-Nr.:
- NDT014L
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | NDT | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 360mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.85V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.7mm | |
| Höhe | 1.7mm | |
| Breite | 3.7 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie NDT | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 360mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.85V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.6nC | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.7mm | ||
Höhe 1.7mm | ||
Breite 3.7 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor
Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi NDT Typ N-Kanal 4-Pin SOT-223
- onsemi NDT Typ N-Kanal 4-Pin SOT-223
- onsemi NDT Typ P-Kanal 4-Pin SOT-223
- onsemi NDT Typ P-Kanal 4-Pin SOT-223
- onsemi NDT Typ P-Kanal 4-Pin SOT-223
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 4-Pin SOT-223
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 4-Pin SOT-223
- DiodesZetex IntelliFET Typ N-Kanal 4-Pin SOT-223