onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 22 A 41 W, 8-Pin WDFN
- RS Best.-Nr.:
- 166-2901
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMC86102LZ
- Marke:
- onsemi
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
2.226,00 €
(ohne MwSt.)
2.649,00 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 16. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,742 € | 2.226,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 166-2901
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMC86102LZ
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 22A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | WDFN | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 40mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 41W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15.3nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.3mm | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.3 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 22A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße WDFN | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 40mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 41W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15.3nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.3mm | ||
Höhe 0.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.3 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 20 A bis 59,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin FDMC86102LZ WDFN
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin FDMC7660 WDFN
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal 8-Pin FDMS86263P WDFN
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin WDFN
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 8-Pin WDFN
