onsemi PowerTrench, SyncFET FDMS8558S N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 90 A 78 W, 8-Pin Leistung 56
- RS Best.-Nr.:
- 166-2921
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMS8558S
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
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Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 90 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 25 V | |
| Gehäusegröße | Leistung 56 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 2,1 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.1V | |
| Verlustleistung max. | 78 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 5.85mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 81 nC @ 10 V | |
| Länge | 5.1mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Serie | PowerTrench, SyncFET | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 90 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 25 V | ||
Gehäusegröße Leistung 56 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 2,1 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.1V | ||
Verlustleistung max. 78 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -12 V, +12 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 5.85mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 81 nC @ 10 V | ||
Länge 5.1mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Serie PowerTrench, SyncFET | ||
Höhe 1.05mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN
MOSFET PowerTrench® SyncFET™, Fairchild Semiconductor
Entwickelt zur Minimierung des Verlusts bei der Leistungsumwandlung bei gleichzeitiger Beibehaltung einer ausgezeichneten Schaltleistung.
Trench-Hochleistungstechnologie für extrem niedrigen RDS(ein)
SyncFET™ profitiert von einer effizienten Diode mit Schottky-Gehäuse.
Anwendungen: Synchrone DC/DC-Gleichrichtungskonverter, Motorantriebe, Point-of-Load-Netzwerkschalter für Niederspannungsseite
Trench-Hochleistungstechnologie für extrem niedrigen RDS(ein)
SyncFET™ profitiert von einer effizienten Diode mit Schottky-Gehäuse.
Anwendungen: Synchrone DC/DC-Gleichrichtungskonverter, Motorantriebe, Point-of-Load-Netzwerkschalter für Niederspannungsseite
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.