onsemi PowerTrench FDG311N N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,9 A 750 mW, 6-Pin SOT-363 (SC-70)

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RS Best.-Nr.:
166-3149
Herst. Teile-Nr.:
FDG311N
Marke:
ON Semiconductor
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Marke

ON Semiconductor

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

1,9 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

SOT-363 (SC-70)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

170 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

0.4V

Verlustleistung max.

750 mW

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–8 V, +8 V

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

3 nC @ 4,5 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

2mm

Breite

1.25mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

1mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Serie

PowerTrench