onsemi PowerTrench FDG312P P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 1,2 A 750 mW, 6-Pin SOT-363 (SC-70)
- RS Best.-Nr.:
- 166-3150
- Herst. Teile-Nr.:
- FDG312P
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- Herst. Teile-Nr.:
- FDG312P
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 1,2 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | SOT-363 (SC-70) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 290 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.4V | |
| Verlustleistung max. | 750 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 1.25mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 2mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 3,3 nC @ 4,5 V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Serie | PowerTrench | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Höhe | 1mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 1,2 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße SOT-363 (SC-70) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 290 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 0.4V | ||
Verlustleistung max. 750 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 1.25mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 2mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 3,3 nC @ 4,5 V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Serie PowerTrench | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Höhe 1mm | ||