onsemi PowerTrench N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V, 30 V / 5,6 A; 9,3 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
166-3210
Herst. Teile-Nr.:
FDS4501H
Marke:
ON Semiconductor
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Marke

ON Semiconductor

Channel-Typ

N, P

Dauer-Drainstrom max.

5,6 A; 9,3 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V, 30 V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

SOIC

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

29 mΩ, 80 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

0.4V

Verlustleistung max.

2,5 W

Transistor-Konfiguration

Gemeinsamer Drain

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

13 nC @ 4,5 V, 17 nC @ 4,5 V

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

3.9mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Länge

4.9mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

1.575mm