onsemi SuperFET II FCD620N60ZF N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 7,3 A 89 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 166-3261
- Herst. Teile-Nr.:
- FCD620N60ZF
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 166-3261
- Herst. Teile-Nr.:
- FCD620N60ZF
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 7,3 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 620 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 89 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 2.39mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 6.22mm | |
| Serie | SuperFET II | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 7,3 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 620 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Verlustleistung max. 89 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 20 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 2.39mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 6.22mm | ||
Serie SuperFET II | ||