onsemi PowerTrench N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 56 A, 130 A 2,2 W, 2,5 W, 8-Pin Leistung 56

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RS Best.-Nr.:
166-3404
Herst. Teile-Nr.:
FDMS3660AS
Marke:
ON Semiconductor
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Marke

ON Semiconductor

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

56 A, 130 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

Leistung 56

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

2,7 mΩ, 11 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

1.1V

Verlustleistung max.

2,2 W, 2,5 W

Transistor-Konfiguration

Serie

Gate-Source Spannung max.

-20 V, -12 V, +12 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

21 nC @ 10 V, 64 nC @ 10 V

Länge

5mm

Breite

5.9mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

1.1mm

Ursprungsland:
US