onsemi PowerTrench N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 56 A, 130 A 2,2 W, 2,5 W, 8-Pin Leistung 56
- RS Best.-Nr.:
- 166-3404
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMS3660AS
- Marke:
- ON Semiconductor
Nicht verfügbar
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Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 56 A, 130 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | Leistung 56 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 2,7 mΩ, 11 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.1V | |
| Verlustleistung max. | 2,2 W, 2,5 W | |
| Transistor-Konfiguration | Serie | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, -12 V, +12 V, +20 V | |
| Länge | 5mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 21 nC @ 10 V, 64 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Breite | 5.9mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 56 A, 130 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße Leistung 56 | ||
Serie PowerTrench | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 2,7 mΩ, 11 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.1V | ||
Verlustleistung max. 2,2 W, 2,5 W | ||
Transistor-Konfiguration Serie | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, -12 V, +12 V, +20 V | ||
Länge 5mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 21 nC @ 10 V, 64 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Breite 5.9mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 1.1mm | ||
- Ursprungsland:
- US
Zweifach-N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Bei Semis PowerTrench ® MOSFETs handelt es sich um optimierte Leistungsschaltgeräte, die eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine kleine Gate-Ladung, eine kleine Rückkehr-Rückgewinnung und eine weiche Rückgewinnungs-Gehäusediode, um zu einem schnellen Schalten der synchronen Gleichrichtung in AC/DC-Netzteilen beizutragen.
Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.
Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
