onsemi N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 2,3 A 2,4 W, 3 + Tab-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
166-3594
Herst. Teile-Nr.:
IRFM120ATF
Marke:
ON Semiconductor
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Marke

ON Semiconductor

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

2,3 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

SOT-223

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3 + Tab

Drain-Source-Widerstand max.

200 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

2,4 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

16 nC @ 10 V

Breite

3.7mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

6.7mm

Höhe

1.7mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

MOSFET mit erhöhter Leistung, Fairchild Semiconductor


Robuste Stoßentladungstechnologie
Robuste Gate-Oxide-Technologie
Niedrigere Eingangskapazität
Optimierte Gatterladung


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.