onsemi QFET FQD12N20TM N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 9 A 55 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 166-3700
- Herst. Teile-Nr.:
- FQD12N20TM
- Marke:
- onsemi
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 166-3700
- Herst. Teile-Nr.:
- FQD12N20TM
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 9 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 200 V | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 280 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 55 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 6.22mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 18 nC @ 10 V | |
| Länge | 6.73mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Serie | QFET | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 9 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 200 V | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 280 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Verlustleistung max. 55 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 6.22mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 18 nC @ 10 V | ||
Länge 6.73mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 2.39mm | ||
Serie QFET | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||