ROHM Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 1 A 1.25 W, 6-Pin TSMT

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RS Best.-Nr.:
168-2133
Herst. Teile-Nr.:
QS6K1TR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TSMT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

238mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.7nC

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.25W

Betriebstemperatur min.

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Höhe

0.95mm

Länge

3mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.8 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Komplexe MOSFETs (N+N) werden als Geräte mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt und eignen sich für eine Vielzahl von Anwendungen. Großes Angebot an kompakten Typen, Hochleistungs-Typen und komplexen Typen, um den unterschiedlichen Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.

2,5-V-AntriebstypP-Kanal-Mittel-Leistungs-MOSFETSchnelle SchaltgeschwindigkeitKleines SMD-GehäuseBleifreiAnwendungen:Tragbares DatenterminalMünzverarbeitungsmaschinenDigitales Multimeter: handlicher TypMotorsteuerung: bürstenlose GleichstrommotorenSpeicherprogrammierbare SteuerungAC-ServoNetwork Attached StorageDVR/DVSMotorsteuerung: SchrittmotorMotorsteuerung: Gleichstrommotoren mit BürstenPOS (Point-of-Sales-System)ElektrofahrräderEingebetteter PCIntelligenter ZählerÜberwachungskameraRöntgeninspektionsmaschine für SicherheitÜberwachungskamera für NetzwerkSprechanlage/BabymonitorMaschinelle Kamera für industrielle AnwendungenGerät zur Authentifizierung per FingerabdruckMassefehler-SchutzschalterDigitales Multimeter: TischtypAnzeige für EMSSolar-Wechselrichter

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