IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Schraub MOSFET 300 V / 86 A 570 W, 4-Pin SOT-227

RS Best.-Nr.:: 168-4467
Herst. Teile-Nr.:: IXFN102N30P
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Schraub MOSFET 300 V / 86 A 570 W, 4-Pin SOT-227

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RS Best.-Nr.:: 168-4467
Herst. Teile-Nr.:: IXFN102N30P
Marke:: IXYS

IXFN 102N30P PolarHV HiPerFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	86 A
Drain-Source-Spannung max.	300 V
Serie	HiperFET, Polar
Gehäusegröße	SOT-227
Montage-Typ	Schraubmontage
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	33 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Verlustleistung max.	570 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	224 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	38.23mm
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	25.42mm
Höhe	9.6mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Schraub MOSFET 300 V / 86 A 570 W, 4-Pin SOT-227

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™

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