IXYS Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 300 V / 86 A 570 W, 4-Pin SOT-227
- RS Best.-Nr.:
- 168-4467
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFN102N30P
- Marke:
- IXYS
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 10 Stück)*
243,66 €
(ohne MwSt.)
289,96 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 01. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 24,366 € | 243,66 € |
| 20 - 40 | 23,148 € | 231,48 € |
| 50 + | 21,929 € | 219,29 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 168-4467
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFN102N30P
- Marke:
- IXYS
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 86A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 300V | |
| Gehäusegröße | SOT-227 | |
| Montageart | Panel | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 33mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 224nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 570W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 25.42 mm | |
| Höhe | 9.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 38.23mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 86A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 300V | ||
Gehäusegröße SOT-227 | ||
Montageart Panel | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 33mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 224nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 570W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 25.42 mm | ||
Höhe 9.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 38.23mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS
MOSFET-Transistoren, IXYS
Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS