IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 110 A 480 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 168-4469
Herst. Teile-Nr.:: IXFH110N10P
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 110 A 480 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:: 168-4469
Herst. Teile-Nr.:: IXFH110N10P
Marke:: IXYS

IXFH 110N10P PolarHT HiPerFET Power MOSFETs Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	110 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	HiperFET, Polar
Gehäusegröße	TO-247
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	15 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Verlustleistung max.	480 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	5.3mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	110 nC @ 10 V
Länge	16.26mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	21.46mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 110 A 480 W, 3-Pin TO-247

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N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™

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