IXYS HiperFET, Polar IXFH170N10P N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 170 A 714 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 168-4470
Herst. Teile-Nr.:: IXFH170N10P
Marke:: IXYS

IXYS HiperFET, Polar IXFH170N10P N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 170 A 714 W, 3-Pin TO-247

17 lieferbar innerhalb von 4 Werktag(en) (Mo-Fr).

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer Stange von 30)

10,554 €

(ohne MwSt.)

12,559 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
30 +	10,554 €	316,62 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 168-4470
Herst. Teile-Nr.:: IXFH170N10P
Marke:: IXYS

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™

N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS

MOSFET-Transistoren, IXYS

Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	170 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	TO-247
Serie	HiperFET, Polar
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	9 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Verlustleistung max.	714 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Breite	5.3mm
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	16.26mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	198 nC @ 10 V
Höhe	21.46mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C