Texas Instruments NexFET CSD19537Q3T N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 53 A 83 W, 8-Pin VSON-CLIP

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RS Best.-Nr.:
168-4941
Herst. Teile-Nr.:
CSD19537Q3T
Marke:
Texas Instruments
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Marke

Texas Instruments

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

53 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

VSON-CLIP

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

16,6 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.6V

Gate-Schwellenspannung min.

2.6V

Verlustleistung max.

83 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

3.4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

44 nC @ 10 V

Länge

3.4mm

Höhe

1.1mm

Diodendurchschlagsspannung

1V

Serie

NexFET

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
PH