STMicroelectronics MDmesh DM2 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 25 A 190 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
168-5887
Herst. Teile-Nr.:
STB33N60DM2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

25 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Serie

MDmesh DM2

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

130 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

190 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

9.35mm

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10.4mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

47 nC @ 10 V

Diodendurchschlagsspannung

1.6V

Höhe

4.6mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN