STMicroelectronics MDmesh DM2 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 12 A 90 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
168-5896
Herst. Teile-Nr.:
STW18N60DM2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

12 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Serie

MDmesh DM2

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

290 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

90 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Länge

15.75mm

Breite

5.15mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

20 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

20.15mm

Diodendurchschlagsspannung

1.6V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN

N-Kanal Serie MDmesh DM2, STMicroelectronics


Die MOSFETs der Serie MDmesh DM2 bieten einen niedrigen RDS(on), und mit der verbesserten Sperrerholungszeit für eine hohe Effizienz wurde diese Serie über phasenverschobene Vollbrücken-ZVS-Topologien optimiert.

Hohe dV/dt-Fähigkeit für verbesserte Systemzuverlässigkeit
AEC-Q101-qualifiziert


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics