Infineon CoolMOS P6 IPD60R380P6ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10,6 A 83 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 168-5911
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R380P6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Bestandsabfrage leider nicht möglich
- RS Best.-Nr.:
- 168-5911
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R380P6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 10,6 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 380 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3.5V | |
| Verlustleistung max. | 83 W | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 6.22mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Diodendurchschlagsspannung | 0.9V | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 10,6 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 380 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3.5V | ||
Verlustleistung max. 83 W | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 6.22mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 19 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 6.73mm | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Diodendurchschlagsspannung 0.9V | ||
Höhe 2.41mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN