Infineon DirectFET, HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 35 A 89 W DirectFET ISOMETRISCH
- RS Best.-Nr.:
- 168-5956
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6643TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 168-5956
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6643TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 35 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 150 V | |
| Gehäusegröße | DirectFET ISOMETRISCH | |
| Serie | DirectFET, HEXFET | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 34,5 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.9V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 89 W | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 39 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 6.35mm | |
| Breite | 5.05mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 0.59mm | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.3V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 35 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 150 V | ||
Gehäusegröße DirectFET ISOMETRISCH | ||
Serie DirectFET, HEXFET | ||
Montage-Typ SMD | ||
Drain-Source-Widerstand max. 34,5 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.9V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Verlustleistung max. 89 W | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 39 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 6.35mm | ||
Breite 5.05mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 0.59mm | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.3V | ||
- Ursprungsland:
- CN