Infineon DirectFET, HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 35 A 89 W DirectFET ISOMETRISCH

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RS Best.-Nr.:
168-5956
Herst. Teile-Nr.:
IRF6643TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

35 A

Drain-Source-Spannung max.

150 V

Serie

DirectFET, HEXFET

Gehäusegröße

DirectFET ISOMETRISCH

Montage-Typ

SMD

Drain-Source-Widerstand max.

34,5 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.9V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

89 W

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

6.35mm

Breite

5.05mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

39 nC @ 10 V

Höhe

0.59mm

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Ursprungsland:
CN