Infineon DirectFET, HEXFET IRF7759L2TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 160 A 125 W, 9 + Tab-Pin L8
- RS Best.-Nr.:
- 168-5966
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7759L2TRPBF
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 168-5966
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7759L2TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 160 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 75 V | |
| Gehäusegröße | L8 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 9 + Tab | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 2,3 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 125 W | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Breite | 7.1mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 200 nC @ 10 V | |
| Länge | 8.5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Serie | DirectFET, HEXFET | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 5.2mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 160 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 75 V | ||
Gehäusegröße L8 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 9 + Tab | ||
Drain-Source-Widerstand max. 2,3 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 125 W | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Breite 7.1mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 200 nC @ 10 V | ||
Länge 8.5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Serie DirectFET, HEXFET | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 5.2mm | ||
- Ursprungsland:
- CN