Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 24 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
168-5979
Herst. Teile-Nr.:
IRF8788TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

44nC

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4 mm

Höhe

1.5mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 30 V, Infineon


Die diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Gehäuse für die Oberflächenmontage und mit Anschlussdrähten. Und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Designherausforderung. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

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