Infineon HEXFET IRFS4227TRLPBF N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 62 A 330 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
168-6016
Herst. Teile-Nr.:
IRFS4227TRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

62 A

Drain-Source-Spannung max.

200 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

26 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

330 W

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.83mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

70 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

10.67mm

Höhe

9.65mm

Serie

HEXFET

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.3V