STMicroelectronics FDmesh N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 29 A 190 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 168-7079
- Herst. Teile-Nr.:
- STB36NM60ND
- Marke:
- STMicroelectronics
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- 168-7079
- Herst. Teile-Nr.:
- STB36NM60ND
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 29 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Serie | FDmesh | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 110 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 190 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 10.4mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 80,4 nC @ 10 V | |
| Breite | 9.35mm | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 29 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 600 V | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Serie FDmesh | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 110 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Verlustleistung max. 190 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 10.4mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 80,4 nC @ 10 V | ||
Breite 9.35mm | ||
Höhe 4.6mm | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal FDmesh™ Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics