Toshiba 2SK N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 50 mA 100 mW, 3-Pin USM
- RS Best.-Nr.:
- 168-7404
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK1829(TE85L,F)
- Marke:
- Toshiba
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 168-7404
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK1829(TE85L,F)
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 50 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Serie | 2SK | |
| Gehäusegröße | USM | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 40 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.5V | |
| Verlustleistung max. | 100 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -10 V, +10 V | |
| Breite | 1.25mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 2mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 50 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Serie 2SK | ||
Gehäusegröße USM | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 40 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.5V | ||
Verlustleistung max. 100 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -10 V, +10 V | ||
Breite 1.25mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 2mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 0.9mm | ||
- Ursprungsland:
- JP