STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 80 A 300 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 168-7516
- Herst. Teile-Nr.:
- STP60NF10
- Marke:
- STMicroelectronics
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
66,00 €
(ohne MwSt.)
78,50 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 550 Einheit(en) mit Versand ab 20. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 1,32 € | 66,00 € |
| 500 - 1200 | 1,25 € | 62,50 € |
| 1250 + | 1,185 € | 59,25 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 168-7516
- Herst. Teile-Nr.:
- STP60NF10
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | STripFET II | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 23mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 104nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 15.75mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie STripFET II | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 23mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 104nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 15.75mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Einfach STripFET II Typ N-Kanal 1 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal 3-Pin TO-263