STMicroelectronics STripFET F3 STH180N10F3-2 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 180 A 315 W, 3-Pin H2PAK-2

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RS Best.-Nr.:
168-7546
Herst. Teile-Nr.:
STH180N10F3-2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

180 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

H2PAK-2

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

4,5 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

315 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

10.4mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

114,6 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

15.8mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Höhe

4.8mm

Serie

STripFET F3

Betriebstemperatur min.

–55 °C

N-Kanal STripFET™ F3, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics