STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 STQ3N45K3-AP N-Kanal, THT MOSFET 450 V / 600 mA 2,5 W, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 168-7549
- Herst. Teile-Nr.:
- STQ3N45K3-AP
- Marke:
- STMicroelectronics
Nicht verfügbar
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- Herst. Teile-Nr.:
- STQ3N45K3-AP
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 600 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 450 V | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3,8 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 2,5 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 3.94mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 6 nC @ 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 4.95mm | |
| Höhe | 4.95mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Serie | MDmesh K3, SuperMESH3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 600 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 450 V | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 3,8 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Verlustleistung max. 2,5 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 3.94mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 6 nC @ 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 4.95mm | ||
Höhe 4.95mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Serie MDmesh K3, SuperMESH3 | ||
N-Kanal MDmesh™ K3-Serie, SuperMESH3™, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
