STMicroelectronics MDmesh STW18NM80 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 17 A 190 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
168-7550
Herst. Teile-Nr.:
STW18NM80
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

17 A

Drain-Source-Spannung max.

800 V

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

295 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

190 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Länge

15.75mm

Breite

5.15mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

70 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Serie

MDmesh

Höhe

20.15mm

N-Kanal MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics