STMicroelectronics MDmesh M5 STY112N65M5 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 96 A 625 W, 3-Pin Max247
- RS Best.-Nr.:
- 168-7552
- Herst. Teile-Nr.:
- STY112N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Nicht verfügbar
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- STY112N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 96 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Gehäusegröße | Max247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 22 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 625 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Breite | 5.3mm | |
| Länge | 5.9mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 350 nC @ 10 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Höhe | 20.3mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 96 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Gehäusegröße Max247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 22 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Verlustleistung max. 625 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Breite 5.3mm | ||
Länge 5.9mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 350 nC @ 10 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Höhe 20.3mm | ||
N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics
Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics