STMicroelectronics STripFET STB35NF10T4 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 40 A 115 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
168-7558
Herst. Teile-Nr.:
STB35NF10T4
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

40 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

35 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

115 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

10.4mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

55 nC @ 10 V

Länge

10.75mm

Höhe

4.6mm

Serie

STripFET

Betriebstemperatur min.

–55 °C

N-Kanal STripFET™, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics