STMicroelectronics MDmesh M5 STF20N65M5 N-Kanal, THT MOSFET 710 V / 18 A 30 W, 3-Pin TO-220FP

RS Best.-Nr.:: 168-7631
Herst. Teile-Nr.:: STF20N65M5
Marke:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh M5 STF20N65M5 N-Kanal, THT MOSFET 710 V / 18 A 30 W, 3-Pin TO-220FP

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Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer Stange von 50)

1,71 €

(ohne MwSt.)

2,03 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Stange*
50 - 50	1,71 €	85,50 €
100 - 200	1,666 €	83,30 €
250 +	1,624 €	81,20 €

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RS Best.-Nr.:: 168-7631
Herst. Teile-Nr.:: STF20N65M5
Marke:: STMicroelectronics

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Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics

Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	18 A
Drain-Source-Spannung max.	710 V
Gehäusegröße	TO-220FP
Serie	MDmesh M5
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	190 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	30 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +25 V
Breite	4.6mm
Länge	10.4mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	36 nC @ 10 V
Höhe	16.4mm