Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 60 A 67 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 168-7778
Herst. Teile-Nr.:: TK40E06N1
Marke:: Toshiba

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 60 A 67 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:: 168-7778
Herst. Teile-Nr.:: TK40E06N1
Marke:: Toshiba

TK40E06N1, Silicon N-channel MOSFET (U-MOSVIII-H) Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	60 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	TO-220
Serie	TK
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	10,4 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Verlustleistung max.	67 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	23 nC @ 10 V
Länge	10.16mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	4.45mm
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	15.1mm

Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 60 A 67 W, 3-Pin TO-220

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