Toshiba TK TK72A12N1,S4X(S N-Kanal, THT MOSFET 120 V / 72 A 45 W, 3-Pin TO-220SIS
- RS Best.-Nr.:
- 168-7993
- Herst. Teile-Nr.:
- TK72A12N1,S4X(S
- Marke:
- Toshiba
Voraussichtlich ab 28.11.2024 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer Stange von 50)
1,774 €
(ohne MwSt.)
2,111 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 1,774 € | 88,70 € |
| 250 - 450 | 1,646 € | 82,30 € |
| 500 + | 1,605 € | 80,25 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 168-7993
- Herst. Teile-Nr.:
- TK72A12N1,S4X(S
- Marke:
- Toshiba
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
MOSFET-N-Kanal, Serie TK6 und TK7, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 72 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 120 V |
| Gehäusegröße | TO-220SIS |
| Serie | TK |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 4,5 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Verlustleistung max. | 45 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Breite | 4.5mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Länge | 10mm |
| Höhe | 15mm |
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