STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 N-Kanal, THT MOSFET 950 V / 8 A 130 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
168-8071
Herst. Teile-Nr.:
STW10N95K5
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

8 A

Drain-Source-Spannung max.

950 V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

MDmesh K5, SuperMESH5

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

800 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

130 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

5.15mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

22 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

15.75mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

20.15mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MDmesh™ K5-Serie, SuperMESH5™, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

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