STMicroelectronics FDmesh N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 23 A 190 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
168-8075
Herst. Teile-Nr.:
STW28NM60ND
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

23 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

FDmesh

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

150 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

190 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Länge

15.75mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

62,5 nC @ 10 V

Breite

5.15mm

Höhe

20.15mm

Ursprungsland:
CN

N-Kanal FDmesh™ Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics