Infineon CoolMOS C6 IPU60R600C6BKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 7,3 A 63 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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RS Best.-Nr.:
168-8117
Herst. Teile-Nr.:
IPU60R600C6BKMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

7,3 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

IPAK (TO-251)

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

600 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

63 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

20,5 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

6.73mm

Breite

2.41mm

Höhe

6.22mm

Serie

CoolMOS C6

Betriebstemperatur min.

–55 °C

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN