Infineon CoolMOS CE IPU50R3K0CEBKMA1 N-Kanal, THT MOSFET 550 V / 1,7 A 18 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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RS Best.-Nr.:
168-8784
Herst. Teile-Nr.:
IPU50R3K0CEBKMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

1,7 A

Drain-Source-Spannung max.

550 V

Gehäusegröße

IPAK (TO-251)

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

3 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

18 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

2.41mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

6.73mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

4,3 nC @ 10 V

Serie

CoolMOS CE

Höhe

6.22mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN