STMicroelectronics MDmesh STFW24N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 18 A 48 W, 3-Pin TO-3PF

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RS Best.-Nr.:
168-8796
Herst. Teile-Nr.:
STFW24N60M2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

18 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

TO-3PF

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

190 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

48 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

29 nC @ 10 V

Länge

15.7mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

5.7mm

Höhe

26.7mm

Serie

MDmesh

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
KR

N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics



MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics