Infineon HEXFET IRF7351TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 8 A 2 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
168-8970
Herst. Teile-Nr.:
IRF7351TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

8 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

SOIC

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

17,8 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

2 W

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

24 nC @ 10 V

Länge

5mm

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

4mm

Serie

HEXFET

Höhe

1.5mm

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
TH