Panasonic MTM MTM231102LBF P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 4 A 500 mW, 3-Pin SMini3-G1-B
- RS Best.-Nr.:
- 169-8019
- Herst. Teile-Nr.:
- MTM231102LBF
- Marke:
- Panasonic
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 169-8019
- Herst. Teile-Nr.:
- MTM231102LBF
- Marke:
- Panasonic
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Panasonic | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 4 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 12 V | |
| Gehäusegröße | SMini3-G1-B | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 30 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 500 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 1.25mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 2mm | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Serie | MTM | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Panasonic | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 4 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 12 V | ||
Gehäusegröße SMini3-G1-B | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 30 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1V | ||
Verlustleistung max. 500 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –8 V, +8 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 1.25mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 2mm | ||
Höhe 0.8mm | ||
Serie MTM | ||
- Ursprungsland:
- MY