Infineon IRL3103PbF N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 64 A 94 W, 3 + Tab-Pin TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 170-2241
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL3103PBF
- Marke:
- Infineon
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Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
40,35 €
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 0,807 € | 40,35 € |
| 250 - 450 | 0,609 € | 30,45 € |
| 500 + | 0,531 € | 26,55 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 170-2241
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL3103PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 64 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | TO-220AB | |
| Serie | IRL3103PbF | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 + Tab | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 16 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 94 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | 16 V | |
| Länge | 10.54mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Breite | 4.69mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 33 nC @ 4,5 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Höhe | 15.24mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 64 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße TO-220AB | ||
Serie IRL3103PbF | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 + Tab | ||
Drain-Source-Widerstand max. 16 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 94 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. 16 V | ||
Länge 10.54mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Breite 4.69mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 33 nC @ 4,5 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Höhe 15.24mm | ||
RoHS: nicht konform / nicht kompatibel
Der Infineon IRL3103 ist der 30-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse. Das TO-220-Gehäuse wird generell für alle kommerziell-industriellen Anwendungen bei Verlustleistungsebenen bis ca. 50 Watt bevorzugt.
Dynamische dv/dt-Bewertung
175 °C Betriebstemperatur
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Vollständig lawinengeprüft
Bleifrei
175 °C Betriebstemperatur
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Vollständig lawinengeprüft
Bleifrei