Infineon IPP17N25S3-100 IPP17N25S3100AKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 17 A 107 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
170-2248
Herst. Teile-Nr.:
IPP17N25S3100AKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

17 A

Drain-Source-Spannung max.

250 V

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

100 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

107 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

20 V

Breite

4.4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

14 nC @ 10 V

Länge

10mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Höhe

15.65mm

Serie

IPP17N25S3-100

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Zusammenfassung der Funktionen:N-Kanal - Anreicherungstyp175 °C BetriebstemperaturUmweltfreundliches ProduktVorteile:Niedriger RDS(on) in Trench-Technologie – bis zu 19,3 mOhmHöchste Strombelastbarkeit 64 ANiedrige Schalt- und Leitungsverluste für hohe WärmeeffizienzRobustes Gehäuse mit überragender Qualität und ZuverlässigkeitOptimierte Gesamt-Gate-Ladung ermöglicht kleinere TreiberausgangsstufenZielanwendungsbereiche:HybridinverterDC/DCPiezo-Einspritzung