Infineon IRFL4310PbF IRFL4310TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 2,2 A 2,1 W, 3 + Tab-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 170-2257
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFL4310TRPBF
- Marke:
- Infineon
Bestandsabfrage leider nicht möglich
- RS Best.-Nr.:
- 170-2257
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFL4310TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2,2 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 + Tab | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 200 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 2,1 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | 20 V | |
| Länge | 6.7mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 3.7mm | |
| Serie | IRFL4310PbF | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.3V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 2,2 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 + Tab | ||
Drain-Source-Widerstand max. 200 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 2,1 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. 20 V | ||
Länge 6.7mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 17 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 3.7mm | ||
Serie IRFL4310PbF | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 1.8mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.3V | ||
RoHS: nicht konform / nicht kompatibel
Die HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das SOT-223-Gehäuse wurde für die Oberflächenmontage mittels Dampfphase-, Infrarot-, oder Schwall-Lötverfahren-Technik entwickelt. Sein einzigartiges Gehäusedesign ermöglicht ein einfaches automatisches Pick-and-Place wie bei anderen SOT- oder SOIC-Gehäusen, hat aber den zusätzlichen Vorteil einer verbesserten thermischen Leistung durch eine vergrößerte Lasche für die Wärmeabführung. Verlustleistung von 1,0 W ist in einer typischen SMD-Anwendung möglich.
Vorteile:
Niedriger RDS (EIN)
Dynamische dv/dt-Bewertung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Betriebstemperatur von 175 °C
Niedriger RDS (EIN)
Dynamische dv/dt-Bewertung
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Betriebstemperatur von 175 °C