Infineon IRF7205PbF IRF7205TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 4,6 A 2,5 W, 8-Pin SO

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RS Best.-Nr.:
170-2261
Herst. Teile-Nr.:
IRF7205TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

4,6 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Gehäusegröße

SO

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

130 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

2,5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

20 V

Länge

5mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

27 nC @ 10 V

Breite

4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

1.5mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

IRF7205PbF

RoHS: nicht konform / nicht kompatibel

Der Infineon IRF7205 ist der 30-V-HEXFET-Leistungs-MOSFET mit einem P-Kanal in einem SO-8-Gehäuse.

Planare Zellstruktur für eine breite SOA
Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern
Produktqualifikation nach JEDEC-Standard